200 现状（2/4）

按照冰芯原先不受影响的研发进度，最快也得是2017年的上半年才有希望推出更为先进的10nm。

也就是说，冰芯的16nm还有着十分不错的最少两年时间的保鲜期。

方卓喝了口茶，微微点头。

梁孟淞这个时候说道：“好消息是，即便没有EUV，我们使用DUV也已经有拓展到10nm的方案，英特尔用DUV+SAQP的过渡方案是可行的，虽然方法复杂，成本也高，但这对我们是在技术和成本可行范围内的不错选择。”

深紫外光刻加上自对准四重图案化技术的解决方案是来自英特尔对制造工艺极限的开拓，胡正明与梁孟淞在与英特尔交流合作FinFET之后基本确认了可行性。

他想了想，又补充道：“考虑到英特尔对工艺节点的划分和实际的晶体管密度，我认为10nm不是DUV+SAQP方案的极限，7nm的可行性也很高。”

就像现在英特尔的14nm与冰芯的16nm，两者归在同一阶段，但前者的晶体管密度是每平方毫米大约3750万，后者的则是3000万，两种工艺存在25%的差距。

同一阶段的节点，英特尔确实更强，由此，英特尔的DUV+SAQP方案在10nm上的拓展或可展望其它厂商的7nm，但这就需要冰芯进一步的研究与优化了。

方卓关切的问道：“英特尔自己做10nm和7nm也都用这个方案吗？”

“看他们的意思……”梁孟淞没想到方总会问这样的问题，他停顿思考，答道，“之所以叫它过渡方案就是因为EUV的成熟需要解决，英特尔的10nm大概会用这个，7nm怎么也应该引入EUV了。”

方卓“啧”了一声。

胡正明忍不住笑道：“还是EUV好是吧，方总，有的用就不错了。”